Симетричні поверхні відкривають нові шляхи для фотоелектричних технологій
|

Симетричні поверхні відкривають нові шляхи для фотоелектричних технологій

Перспективи симетричних матеріалів у сонячній енергетиці: нові відкриття в фотогальваніці

Вам, напевно, було цікаво, як традиційні сонячні елементи перетворюють сонячну енергію. Зазвичай вони засновуються на інтерфейсах, таких як p-n переходи, що створюють умови для продуктивного розподілу фотогенерованих зарядів та корисного струму. Проте, нещодавнє дослідження пропонує інший підхід, який може змінити уявлення про те, як ми використовуємо світло для генерації електрики.

Нове бачення: ролі симетрії у фотострумах

Нові відкриття в дослідженнях показують, що абсолютно симетричні матеріали здатні генерувати сильні фотоструми, якщо їх поверхні попередньо інженерно налаштувати. Це новаторський підхід може відкрити двері до інновацій у сфері сонячної енергетики, адже тепер фокус зміщується на властивості поверхонь матеріалів.

Розкриття таємниць ультра-швидких спінтронних технологій

Дослідження спеціалістів з EHU, Матеріального фізичного центру, nanoGUNE та DIPC відкрило нові стратегії для усунення обмежень у фотогальванічних елементах. Використовуючи обчислення першої основи, вони виявили, що поверхні металів та напівпровідників з релятивістською спін-орбітальною взаємодією можуть підтримувати електронні стани, дуже відмінні від об’ємного інтер’єру. Це створює потенціал для нових процесів перетворення сонячного світла в електрику.

Порушення звичних уявлень: електронна відповідь без інверсійної симетрії

Традиційно об’ємний фотогальванічний ефект вимагав нецентросиметричної кристалічної структури. Однак, тепер вдалося показати, що навіть у цілком симетричних кристалах, локальна інверсійна симетрія може бути порушена на поверхні. Це дозволяє генерувати значні фотоструми вдовж поверхні, змінюючи наше розуміння ефективного перетворення світла в електрику.

Новий напрямок у проектуванні пристроїв

Ці результати надають потужні аргументи для перегляду підходів до проектування сонячних елементів. Замість зосередження тільки на об’ємних властивостях кристалів, проектувальники можуть зосередитись на налаштуванні електронних характеристик поверхні. Це відкриває перспективи для нових технологій у сонячній енергетиці, які можуть пропонувати значно більшу ефективність та нові можливості в майбутньому.

Схожі записи