Аналіз дефектів сонячних елементів з новою технологією перехідної відповіді

Вплив дефектів на ефективність сонячних елементів: нові знахідки з Південної Кореї

Завжди цікаво дізнатися про те, що коїться на науковому фронті! Дослідники з Корейського інституту енергетичних досліджень (KIER) разом з колегами з Національного університету Чунгбук (CBNU) вразили нас новими відкриттями в галузі сонячної енергетики. Вони виявили два різні типи дефектів, що суттєво знижують потужність кремнієвих гетероякостних сонячних елементів.

Команда, під керівництвом доктора Хі-Еун Сонг з KIER та професора Ка-Хюн Кім з CBNU, застосувала вдосконалений метод спектроскопії транзитних рівнів. З його допомогою вони ідентифікували дефекти, які ведуть себе по-різному — як повільні, так і швидкі компоненти. Виявилося, що ті дефекти, які раніше вважалися єдиними, насправді є комбінацією глибоких та неглибоких рівнів.

Але це не просто наукова новина. Ці відкриття дозволяють точно виміряти енергетичні рівні дефектів, визначати їх розташування та атомну структуру у сонячному елементі. Це знання надзвичайно важливе для оптимізації продуктивності пристроїв та вдосконалення технологій пасивації.

Роль водню в дефектах

Іншою цікавою знахідкою стало відкриття того, як атомні зв’язки в дефектах змінюються в залежності від методу виготовлення та умов експлуатації. Українці, ви знали, що атоми водню відіграють велику роль у цих трансформаціях? Навіть не уявляли собі такого, чи не так?

Результати цього дослідження можуть суттєво прискорити розробку більш ефективних кремнієвих гетероякостних та тандемних сонячних елементів, об’єднуючи в собі запатентовані технології KIER.

“Це дослідження прискорить розвиток високоефективних сонячних елементів гетероякостного типу та, більше того, дозволить нам реалізувати сонячні елементи тандемного типу світового класу, використовуючи власні технології KIER,” сказав доктор Хі-Еун Сонг.

Ширші перспективи та застосування

Як бачимо, це дослідження не лише розкриває основи взаємодії дефектів з технологіями пасивації, але й розширює горизонти для використання в інших галузях. “Це дослідження забезпечує фундаментальне розуміння зв’язку між дефектами та пасивацією,” заявив професор Ка-Хюн Кім. “Розроблений метод аналізу може бути розширений не тільки на сонячні елементи, але й на широкий спектр напівпровідникових і дисплейних застосувань, включаючи датчики, світлодіоди та пристрої CMOS.”

Безсумнівно, проведене дослідження, яке включало використання SHJ-сонячних елементів у Центрі передових